基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管制作方法,主要解决现有同类器件成本高的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离,并生长SiN钝化层;在SiN…… 查看详细 >
技术简介： 公司依靠科学创新，为了争夺更大的国内外市场份额，对现有的无触点电子喇叭产品自主开发，进行升级换代，研发成功并试生产汽车机电喇叭。新研制的汽车机电喇叭本身不需要类似机械喇叭的钨触点，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、绝缘介质层（6）、绝缘栅极（7）、钝化层（8）、源场板（9…… 查看详细 >
技术简介： 必要性及需求分析目前全球的石油储量约有1345亿吨，而现在全世界燃油的消耗每年达30亿吨以上。显而易见，全球的石油资源再有40年左右就会枯竭。而作为贫油国家，我国的石油仅有23的开采储量。进…… 查看详细 >
技术简介： 一、本专利对应产品本专利描述的是一种用于动态观察镉锌碲（CdZnTe）材料中化学腐蚀坑的装置，该设备为半导体材料的研究、开发和质量控制提供了一个高级的实验平台，适用于半导体工业和材料科学…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种GaN基鳍栅增强型器件及其制作方法,主要解决现有同类器件阈值电压正漂小的问题。其制作过程为：1.在已有外延基片的GaN缓冲层上制作源、漏电极;2.刻蚀有源区形成电隔离;3.在源、…… 查看详细 >
一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法
技术简介： 本发明属于场效应晶体管技术领域,特别公开了一种具有双高栅的4H-SiC金属半导体场效应晶体管的制备方法;目的在于提供一种能够提高场效应晶体管的输出电流和击穿电压,改善频率特性的具有双高栅的4…… 查看详细 >
技术简介： 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构,属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种与Si工艺兼容的直接带隙Ge材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;在第一温度下,在Si衬底表面生长第一Ge层;在第二温度下,在第一Ge层表面生长第二Ge层;在第二Ge层表面涂抹…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及电阻抗成像技术领域,具体包含一种用于电阻抗成像过程的低功耗电流激励源。此电路由方波信号发生器、方波稳压信号源和电压电流变换电路构成,可以产生一个频率可调的、方波电流激励信号…… 查看详细 >
技术简介： 该项目采用微型化、低功耗烟雾与温度复合探测元件，与无线传感器网络节点集成研制无线火灾烟温湿复合监测节点，采用自主开发的适于火灾监测的无线传感器网络多跳路由协议，建立了基于无线传感网…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于弧形漏场板和肖特基漏极的垂直型功率晶体管,其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、阻挡层（4）、沟道层（6）、势垒层（7）和钝化层（12）,沟道层和势垒层两侧刻蚀…… 查看详细 >
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