[01749669]GaN基鳍栅增强型器件及其制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种GaN基鳍栅增强型器件及其制作方法,主要解决现有同类器件阈值电压正漂小的问题。其制作过程为：1.在已有外延基片的GaN缓冲层上制作源、漏电极;2.刻蚀有源区形成电隔离;3.在源、漏极之间的有源区刻蚀一条条的纳米线沟道;4.在AlGaN势垒层上生长SiN钝化层,并光刻和刻蚀栅区域,形成凹槽;5.通过ICP工艺,用氧离子氧化凹槽区的AlGaN势垒层,并制作栅电极;6.在凹槽栅电极和栅极区域外生长SiN保护层,并在其上光刻和刻蚀金属互联开孔区;7.在互联开孔和未开孔的保护层上制作金属互联层,完成器件制作。本发明增大了器件的阈值电压,提高了增强型效果,可用于增强/耗尽型数字集成电路。