[01626093]一种与Si工艺兼容的直接带隙Ge材料及其制备方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明涉及一种与Si工艺兼容的直接带隙Ge材料及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;在第一温度下,在Si衬底表面生长第一Ge层;在第二温度下,在第一Ge层表面生长第二Ge层;在第二Ge层表面涂抹光刻胶,利用光刻工艺保留中心区域的光刻胶;利用刻蚀工艺刻蚀一定厚度的第二Ge层,去除剩余的光刻胶,形成Ge台阶;采用CVD工艺在第二Ge层表面生长Si0.5Ge0.5材料,以最终形成与Si工艺兼容的直接带隙Ge材料。本发明利用Ge周围选择性外延SiGe引入张应力,制得的与Si工艺兼容的直接带隙Ge材料晶体质量高,且拉伸应变可以达到2.0％,能够使Ge应变层转变为直接带隙半导体材料,大大增强其自发辐射效率,有利于光电子的应用。