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[01721514]绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

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服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管,该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11),该源场板(9)位于钝化层(8)上,且与源极(4)电气连接,其中,在自源场板到漏极方向的钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同,相互独立,相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。N个浮空场板与源场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、击穿电压高和可靠性好的优点,可制作基于III-V族化合物半导体材料异质结结构的高频大功率器件。
本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管,该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11),该源场板(9)位于钝化层(8)上,且与源极(4)电气连接,其中,在自源场板到漏极方向的钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同,相互独立,相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。N个浮空场板与源场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、击穿电压高和可靠性好的优点,可制作基于III-V族化合物半导体材料异质结结构的高频大功率器件。

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