[01736747]基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管及制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于TiN/Cu/Ni栅电极的GaN基高电子迁移率晶体管制作方法,主要解决现有同类器件成本高的问题。其制作过程为：在外延基片上制作源、漏电极和有源区电隔离,并生长SiN钝化层;在SiN钝化层上光刻并刻蚀栅槽区域;在栅槽和SiN钝化层上光刻栅电极区域,利用磁控溅射工艺依次淀积TiN肖特基接触层、Cu导电层和Ni保护层,剥离后形成TiN/Cu/Ni结构的栅电极;在栅电极和SiN钝化层上生长SiN保护层;在SiN保护层上光刻并刻蚀金属互联开孔区;在互联开孔区和SiN保护层上制作金属互联层,完成器件制作。本发明降低了栅极制作成本,提高了其可靠性,可用于制作高频大功率集成模块。