技术简介： 本发明公开了一种紫外LED器件，该器件包括陶瓷基座；设置于所述陶瓷基座的凹槽；设置于所述陶瓷基座、位于所述凹槽上的台形阶梯结构；安装于所述台形阶梯结构处的石英玻璃盖板；共晶倒装焊接于…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种紫外LED封装器件。所述紫外LED封装器件包括氧化铝陶瓷基板、紫外LED芯片、铜镀层、CuAlO2过渡层、硅树脂固层和石英玻璃；所述紫外LED芯片包括正电极和负电极，该芯片固定在氧化…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，主要包括LED芯片、矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、反射杯、微型PCB基板、铜层、导电导热胶层和焊盘；所述PCB基板包括上表层、中间层和下表…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种LED倒装结构，LED芯片上均匀涂覆矽胶，矽胶表面上再涂有荧光胶；所述荧光胶上表面设有透镜，所述透镜上表面设有减反膜，所述减反膜上表面还设有封装胶层。所述矽胶、荧光胶均依…… 查看详细 >
技术简介： 本发明是一种发光二极管飞盘状支架。包括有内部热沉（2）、金属引脚（3），其中金属引脚（3）装设在内部热沉（2）的两端，且内部热沉（2）和金属引脚（3）通过基座（1）封装成一体，内部热沉（2…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提出了一种易封装、易散热的倒装高压LED芯片及其制作方法，包含蓝宝石衬底、外延层、p和n电极、封装基板，对这种结构芯片进行倒装封装时，能够避免芯片电极过小和基板电路焊点过密所造成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种提高紫外LED光输出功率的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底，GaN缓冲层，未掺杂的GaN层，掺杂N型GaN层，AlGaN/GaN多量子阱结构，插入层，电子阻挡层EBL，P型Ga…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种实现短波长紫外LED的外延结构，所述外延结构自下而上包括依次设置的衬底、GaN缓冲层、未掺杂的GaN层、掺杂N型GaN层、多量子阱AlGaN/GaN层、P型AlGaN电子阻挡层、渐变P型AlGaN层…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构及固晶机，为解决现有装置组件数量多、运动平稳性和精度较难保证等问题而设计。本发明基于音圈电机和花键轴的固晶机焊头机构包括机架组件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种整流二极管薄膜器件，包括基底、复合在基底上的氧化物薄膜、设置在基底上的底电极和设置在所述氧化物薄膜上的顶电极；所述氧化物薄膜为Hf0.5Zr0.5O2薄膜。本发明中的Hf0.5Zr0.5O2…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法，包括倒装高压LED芯片、荧光胶层、封装基板，所述倒装高压LED芯片焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种镍铁锌氧体铁电薄膜存储器，包括依次接触的基底、导电薄膜和铁电薄膜，以及设置在所述导电薄膜上的底电极和设置在铁电薄膜上的顶电极；所述导电薄膜为LaNiO3；所述铁电薄膜为Ni0.…… 查看详细 >
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