[00314596]一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710540841.5
交易方式：
技术转让
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技术入股
联系人：
厦门立德软件公司
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技术详细介绍
本发明公开一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法，包括倒装高压LED芯片、荧光胶层、封装基板，所述倒装高压LED芯片焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN、有源层、p型GaN层、电流扩展层，以及位于p型GaN台面上的n电极和p电极，其中n电极通过深沟槽侧壁金属导电层与n型GaN斜面相连，金属导电层与子芯片之间通过绝缘层隔离，各子芯片的n电极和p电极再分别与基板电极焊盘和互连线键合。本发明兼具CSP封装体积小和高压芯片电源要求低的优点，可以进一步增加高压芯片的子芯片之间电气连接的可靠性，在同等芯片面积下增加芯片发光层的面积。
本发明公开一种CSP封装的高压LED芯片结构及制作方法，包括倒装高压LED芯片、荧光胶层、封装基板，所述倒装高压LED芯片焊接在封装基板上，每个高压芯片包含多个子芯片，各子芯片通过隔离深沟槽隔开，所述每个子芯片包含n型GaN、有源层、p型GaN层、电流扩展层，以及位于p型GaN台面上的n电极和p电极，其中n电极通过深沟槽侧壁金属导电层与n型GaN斜面相连，金属导电层与子芯片之间通过绝缘层隔离，各子芯片的n电极和p电极再分别与基板电极焊盘和互连线键合。本发明兼具CSP封装体积小和高压芯片电源要求低的优点，可以进一步增加高压芯片的子芯片之间电气连接的可靠性，在同等芯片面积下增加芯片发光层的面积。
