[00314593]一种整流二极管薄膜器件及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201710522800.3
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
厦门立德软件公司
进入空间
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供一种整流二极管薄膜器件，包括基底、复合在基底上的氧化物薄膜、设置在基底上的底电极和设置在所述氧化物薄膜上的顶电极；所述氧化物薄膜为Hf0.5Zr0.5O2薄膜。本发明中的Hf0.5Zr0.5O2薄膜器件具有明显的二极管效应，并且与CMOS工艺具有良好的兼容性，有利于开展大规模工艺生产。本发明还提供了一种整流二极管薄膜器件，本发明采用化学溶液沉积法制备Hf0.5Zr0.5O2薄膜，且相对其他二极管制备方法而言，本发明中的薄膜组分容易控制，制备方法简单，制备得到的薄膜器件整流特性明显。
本发明提供一种整流二极管薄膜器件，包括基底、复合在基底上的氧化物薄膜、设置在基底上的底电极和设置在所述氧化物薄膜上的顶电极；所述氧化物薄膜为Hf0.5Zr0.5O2薄膜。本发明中的Hf0.5Zr0.5O2薄膜器件具有明显的二极管效应，并且与CMOS工艺具有良好的兼容性，有利于开展大规模工艺生产。本发明还提供了一种整流二极管薄膜器件，本发明采用化学溶液沉积法制备Hf0.5Zr0.5O2薄膜，且相对其他二极管制备方法而言，本发明中的薄膜组分容易控制，制备方法简单，制备得到的薄膜器件整流特性明显。
