技术简介： 本发明公开了一种宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件及其制备方法,其中宽范围大电流高维持电压的双端ESD集成保护器件由下至上依次设有金属层,N+衬底、N-外延层、二氧化硅层,所述N-外…… 查看详细 >
技术简介： 技术性能指标，复杂零部件修复后表面质量超过修复前质量，使用寿命超过或不低于同样的完好零部件。技术的创造性与先进性；制定叶片损伤可修复性的定量评价指标，突破叶片修复后形面质量评估的关…… 查看详细 >
技术简介： 本项目属于半导体照明工程高效集成大功率LED光源关键技术和汽车照明应用技术领域。大功率LED作为新能源汽车车灯光源,与传统的卤钨灯、HID灯相比,在节能、环保、设计自由度等方面具有明显的优势…… 查看详细 >
技术简介： 本项目围绕使用纳米粒子自组装法制备周期性良好的高密纳米阵列,揭示自组装纳米斑图的动力学机制与其在铁电阵列及高密度存储上的应用。主要研究内容包括：制备与合成超细的纳米铁电颗粒,铁电薄膜…… 查看详细 >
技术简介： 该实用新型涉及一种气体泄漏自动报警装置。它包括有带有脚轮的底座、固连在所述的底座上并可在底座上转动的与伺服电动机同轴的转动平台、固连在所述的转动平台上的立支撑板、固连在所述的立支撑…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体器件领域,特别涉及一种高电子迁移率晶体管。针对氮化镓基高电子迁移率晶体管的自热效应进行优化设计,其技术方案为：一种高电子迁移率晶体管,包括衬底、衬底以上依次生长的成核…… 查看详细 >
技术简介： 一种可控自钳位SensorFET复合纵向功率器件,属于半导体功率器件技术和功率集成电路技术领域。本发明将功率变换器的主开关管与SensorFET器件集成于同一P型衬底上,二者采用共用阳极（或共用金属阳…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种补偿型热释电红外单元探测器,属于红外探测器技术领域。它包括外壳（1）、设置在外壳首端的窗口,所述窗口上设置有红外滤光片（2）、底座（3）、引脚（4）、双面电路板（5）、场…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种含浮动电极的新型微等离子体器件,该器件以铝箔为材料基底,铝箔上有密集的阵列微腔,微腔内部有一层氧化铝,作为介质层,如此可形成基本的Al/Al2O3/Al共面型电极结构,微腔两端尺寸…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体功率器件和功率集成电路。本发明公开一种SOI横向MOSFET器件。其技术方案是：采用纵向延伸至介质埋层的槽栅;在漂移区引入介质槽,其介质的介电系数小于有源层的介电系数,并在介质…… 查看详细 >
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