[01853611]SOI横向MOSFET器件
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技术详细介绍
本发明涉及半导体功率器件和功率集成电路。本发明公开一种SOI横向MOSFET器件。其技术方案是：采用纵向延伸至介质埋层的槽栅;在漂移区引入介质槽,其介质的介电系数小于有源层的介电系数,并在介质槽中形成埋栅,从而构成本发明的SOI横向MOSFET器件。本发明一方面使器件耐压大大提高并缩小器件横向尺寸,起主要作用的是介质槽;另一方面,槽栅增大了器件有效纵向导电区域;同时,槽栅和埋栅使沟道密度和电流密度增加;使比导通电阻降低,进而降低功耗。再者,介质槽降低了栅－漏电容,提高器件的频率和输出功率。本发明的器件具有高压、高速、低功耗,低成本和便于集成的优点,特别适合用于功率集成电路和射频功率集成电路。