技术简介： 有机光电探测器是使用有机半导体材料作为光响应层的器件。目前，对于有机光电探测器的研究集中在实现高性能的红外区响应的材料与器件。然而，在短波红外区（Short-wavelengthinfrared，SWIR：1-…… 查看详细 >
技术简介： 成果简介高温固体氧化物电解池（SOEC）是一种高效、低污染的电解水制氢装置。由于工作温度高达700-900℃，SOEC的能量转化效率远超其他电解水制氢技术，LHV效率最高可达到80%以上，并且不使用任…… 查看详细 >
技术简介： 高品质AlN模板层通常需要较高的生长温度（大多高于1200℃），大多数工业级MOCVD设备难以长时间维持高温生长高品质AlN。因此，开拓溅射方法生长高质量AlN的新技术路线，继而应用于紫外发光二极管…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种单极剥离子,便于在手术中确认神经组织位置且可将病变组织剥离。该剥离子包括剥离子本体,所述剥离子本体包括手持部和操作部,所述操作部包括与手持部相连的连接段以及与连接段相…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种半导体发光器件及其制备方法,包括一衬底;一缓冲层,生长于所述的衬底上;一n型层,生长于所述的缓冲层上;一V-pits延伸层,其为超晶格层,生长于所述的n型层上,以延伸V-pits的尺寸;一…… 查看详细 >
基于m面Al＜sub＞2＜/sub＞O＜sub＞3＜/sub＞衬底上半极性GaN的生长方法
技术简介： 本发明公开了一种基于m面Al2O3衬底上半极性GaN薄膜的生长方法,主要解决常规半极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是：（1）将m面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中,并向反应室通…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于室温太赫兹探测阵列成像技术领域,提供一种太赫兹探测阵列的片级封装结构,用以解决探测阵列对太赫兹辐射的吸收率低,探测阵列封装结构复杂、成本高、体积大、达不到便携式的要求等问题…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高击穿电压氧化镓肖特基二极管结构,自下而上包括高掺杂n型Ga2O3衬底（1）和低掺杂n型Ga2O3外延层（2）和阳极电极（4）,衬底的下表面沉积有阴极电极（5）,阳极电极与外延层（2）…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种自组装形成尺寸可控的硅纳米晶薄膜的制备方法,主要步骤如下：首先,镀膜前预处理后利用Ar离子对Si靶和C靶进行磁控共溅射,调整Si和C靶的溅射功率,在硅和玻璃基体上交替沉积多层结构…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于P+掺杂区、N型深阱二极管的双向ESD防护器件版图涉及集成电路静电防护器件版图设计技术领域,特别涉及由P+-NWD二极管构成的双向静电释放器件版图布图。按照本版图设计的双向静电释放器件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于m面SiC图形衬底的半极性AlN薄膜,主要解决现有技术工艺复杂,制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100-500μm厚的m面SiC衬底层、20-120nm厚的GaN成核层、1500-5000nm…… 查看详细 >
技术简介： 在用电解方法生产电解锰的企业中，大多采用碳酸锰矿为原料，将它们制备成矿浆后装在浸取槽中以浸取电解液，然后进行电解。为保证浸取充分，在浸取槽中均设置有搅拌矿浆的搅拌桨。由于传统的搅拌…… 查看详细 >
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