[01414211]基于m面SiC衬底的半极性AlN薄膜及其制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于m面SiC图形衬底的半极性AlN薄膜,主要解决现有技术工艺复杂,制作周期长和费用高的问题。其自下而上包括：100-500μm厚的m面SiC衬底层、20-120nm厚的GaN成核层、1500-5000nm厚的Al组分渐变AlGaN层和1000-2500nm厚的半极性AlN层,其中m面SiC衬底层的表面设有由金刚石砂纸打磨形成的衬底条纹,以提高AlN材料的质量;Al组分渐变AlGaN层的Al组分从5％渐变至100％,用以降低AlN材料的应力。本发明的制备过程无需进行光刻,缩短了制作周期和减小费用成本,可用于制作半极性AlN基的紫外和深紫外半导体器件。