[01679299]一种半导体发光器件及其制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种半导体发光器件及其制备方法,包括一衬底;一缓冲层,生长于所述的衬底上;一n型层,生长于所述的缓冲层上;一V-pits延伸层,其为超晶格层,生长于所述的n型层上,以延伸V-pits的尺寸;一发光层,生长于所述的V-pits延伸层上,V-pits延伸层和发光层中贯穿V-pits;一p型层,生长于所述的发光层上;其中,n型层生长结束后,对n型层上表面进行刻蚀,使n型层中位错顶端形成V-pits。本发明半导体发光器件可获得在深度和尺寸上具有一致性的V-pits,可充分发挥V-pits阻挡位错成为非辐射复合中心的功能,进一步提高发光二极管的内量子效率。