[01774231]基于m面Al＜sub＞2＜/sub＞O＜sub＞3＜/sub＞衬底上半极性GaN的生长方法
联系人：
所在地：
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
登录后向技术服务商咨询
发布技术需求
服务免费，交易还可领红包哦
技术详细介绍
本发明公开了一种基于m面Al 2O 3衬底上半极性GaN薄膜的生长方法,主要解决常规半极性材料生长中材料质量、表面形貌较差的问题。其生长步骤是： （1）将m面Al 2O 2衬底置于MOCVD反应室中,并向反应室通入氢气与氨气的混合气体,对衬底进行热处理; （2）在m面Al 2O 3衬底上生长厚度为20-200nm,温度为500-650℃的低温AlN层; （3）在所述低温AlN层之上生长厚度为50-200nm,温度为1000-1150℃的高温AlN层; （4）在所述高温AlN层之上生长厚度为50-500nm,温度为1000-1150℃的高温AlGaN层; （5）在所述高温AlGaN层之上生长高V-III比,厚度为50-1000nm,温度为1000-1150℃的半极性GaN层; （6）在所述高V-III比半极性GaN层之上生长低V-III比,厚度为1000-10000nm,温度为1000-1150℃的半极性GaN层。 本发明具有工艺简单,低缺陷的优点,用于制作半极性GaN发光二极管和激光器。