技术简介： 本发明涉及冷光源、信息显示及半导体电子技术领域,公开了一种复合纳米金刚石薄膜电子发射阴极的制备方法,包括下列步骤：a、制备复合纳米金刚石浆料;b、丝网印刷制备复合纳米金刚石薄膜;c、印刷…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、绝缘介质层（7）、钝化层（8）、交叠栅（10）和保护层（12…… 查看详细 >
纳秒脉冲耦合注入的电力变压器绕组变形故障带电检测与诊断技术及工程应用
技术简介： 该项目属于电气工程学科。电力变压器作为电能传输过程中能量转换的核心，是电力系统中至关重要的输变电设备，绕组变形是引起变压器内部故障的主要原因之一。中国变压器制造厂家和电力公司进行绕…… 查看详细 >
技术简介： 1.该项目属于半导体发光技术和集成光电子器件设计、制造与工艺技术领域。2.技术创新内容：智能汽车已成为全球汽车产业发展的战略方向和新动力，也是中国经济发展的支柱产业。做为智能汽车中必不…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种薄膜外延生长在线实时表征装置,利用拉曼光谱信号对MOCVD设备中薄膜外延生长过程中的纳米材料微观结构进行实时、直接表征。激发光被第一分光镜反射后,由平凸透镜聚焦,通过MOCVD…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管制备方法,全套工艺除了P＜SUP＞+＜/SUP＞版和槽栅版两张光刻版以外,其余所有光刻都被省去,即只用两次光刻完成IGBT的器件制造,而且两次光刻之间…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、栅极（6）、钝化层（7）、源场板（8）、漏…… 查看详细 >
技术简介： 红外光电探测器作为航空航天探测领域的重要组成，已在大气遥感、系外行星探测等方面发挥重要作用。随着以科技创新为核心驱动力的新质生产力的提出，各行业以深化高技术应用为主要特征，这对红外…… 查看详细 >
一种同时合成亲、疏水碳点的方法及其在检测Au3+和制备白光发光二极管中的应用
技术简介： 选取亚甲基蓝和硫酸为原材料,乙醇作为溶剂,通过简单的一步溶剂热法同时合成了亲水和亲有机溶剂的碳点（HCDs和OCDs）。合成的HCDs和OCDs分别溶于蒸馏水和乙醇中,在365nm的紫外光照下显示出明亮的…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管器件及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决器件频率低和抗辐射性能差的问题。该器件包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN…… 查看详细 >
技术简介： 1.任务来源：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金,项目名称：低电阻温度系数TaN薄膜材料及微波功率薄膜电阻器研究,项目编号：KFJJ200804。2.技术原理及性能指标（1）技术原理：采用反应磁控溅…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种具有SiO2保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：（a）选取SOI衬底;（b）刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽;（c）对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型S…… 查看详细 >
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