[01740484]AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管的制作方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种AlGaN/GaN绝缘栅高电子迁移率晶体管器件及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决器件频率低和抗辐射性能差的问题。该器件包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N层、GaN冒层、栅氧化层和栅、源、漏电极,其中栅氧化层采用Al2O3,栅电极采用透明的ZnO。该ZnO栅电极中掺有Al元素,其长度与源漏之间的距离相等。本发明器件的制作过程依次是：先进行外延材料生长,再制作Al2O3栅氧化层和ZnO栅电极,最后利用自对准的方法在ZnO栅电极的两侧制作源漏电极。本发明具有频率特性好,抗辐照特性好,且工艺简单,重复性好,可靠性高的优点,可作为高频和高速电路中的电子元件。