[01694474]一种硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管制备方法
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技术详细介绍
本发明公开了一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管制备方法,全套工艺除了P＜SUP＞+＜/SUP＞版和槽栅版两张光刻版以外,其余所有光刻都被省去,即只用两次光刻完成IGBT的器件制造,而且两次光刻之间没有套刻关系,避免了套刻误差,提高了工艺成品率,降低了制版费用和制造成本。本发明设计的一种IGBT多重沟道短路结构,有效的防止了IGBT闩锁。用氧化层硬掩膜和先进的硅化物工艺实现多晶硅刻蚀和金属接触全自对准,可使元包尺寸减小到2μm甚至更小,增加了IGBT芯片单位面积的元包密度和沟道宽度,提高了电流。