[01709816]基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管
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技术详细介绍
本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、栅极（6）、钝化层（7）、源场板（8）、漏场板（10）和保护层（11）,该源场板（8）与源极（4）电气连接,该漏场板（10）与漏极（5）电气连接,其中,源场板（8）与漏场板（10）之间的钝化层（7）上淀积有n个浮空场板（9）。每个浮空场板大小相同,处于浮空状态,且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。N个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有成品率高、可靠性好和输出功率高的优点,可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。