技术简介： 本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区。这些高浓度固定电荷区由…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种硅通孔结构所述硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块。所述通孔由分…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种在垂直位置使用的三角形截面的电子元件散热器组件，散热器包括基体以及外围的翅片，横截面是等腰三角形，等腰三角形顶角向外延伸的第一翅片和第二翅片，第二翅片从等腰三角形的…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种面向可延展电子的双面柔性结构性基底，包括薄膜基底、岛屿和沟槽；每个岛屿均为柱状；所有岛屿规则排布在薄膜基底的上表面和下表面；位于薄膜基底上表面的岛屿和位于薄膜基底…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种面向可延展电子的双面柔性结构性基底，包括薄膜基底、岛屿和沟槽；每个岛屿均为柱状；所有岛屿规则排布在薄膜基底的上表面和下表面；位于薄膜基底上表面的岛屿和位于薄膜基底上表…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种互联载板的制作方法，其包括：放置下辅助板；在下辅助板上形成高温可汽化或粘度可降低的粘膜；在所述粘膜上形成金属层；图形化所述金属层，形成目标互联载板所需的载板线路；在…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种用于立式扩散炉的石英舟，属于石英舟结构技术领域。包括石英舟本体，所述本体上设有用于放置硅片的舟槽，所述本体包括中空的中心筒、支撑板和石英棒，支撑板沿中心筒周向均…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开一种红外探测器薄膜激光退火系统，包括激光器、扩束准直镜、光阑、高反镜、整形镜、平凸柱面镜、载物台和位移平台；红外探测器放置在载物台的表面，载物台安装在位移平台上；激光…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种制备可延展电子的装置，包括圆筒支架、至少2条拉伸导槽、至少2个固定夹持件和至少2个拉伸夹持件；每条拉伸导槽沿圆筒支架的圆周方向延伸，且所有拉伸导槽相互平行地环设在圆筒支…… 查看详细 >
一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法
技术简介： 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进…… 查看详细 >
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