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[00302855]一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201110150070.1

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 桂林电子科技大学

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所在地:广西壮族自治区桂林市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法,

(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后,再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜;

(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理;

(3)p-CAO薄膜需经退火处理,且退火在氩气气氛下进行;

(4)采用USP工艺,在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜;

(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热,且衬底温度不超过320℃,样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。

该方法新颖、简单,且能满足大面积成膜工艺要求,其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能,具有良好的光电性能。

本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法,

(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后,再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜;

(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理;

(3)p-CAO薄膜需经退火处理,且退火在氩气气氛下进行;

(4)采用USP工艺,在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜;

(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热,且衬底温度不超过320℃,样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。

该方法新颖、简单,且能满足大面积成膜工艺要求,其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能,具有良好的光电性能。

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