当前位置：首页 > 科技成果 > 详细页

[00302859]一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510414120.0

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：桂林电子科技大学

所在地：广西壮族自治区桂林市

登录后向技术服务商咨询

技术详细介绍

本发明公开了一种降低GaAs背孔工艺中等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括以下步骤：

在衬底正面匀涂电子束光刻胶；用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上；将粘有衬底的石英托粘贴在减薄玻璃片上；进行减薄工艺；将石英托连同衬底从减薄玻璃片上取下；匀涂光刻胶并烘片；形成背孔图形；形成背孔；去光刻胶和液态蜡，使衬底片和石英托分离；其中，液态蜡是由一定量的Crystalbond。