技术简介： 摘要：本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，特别是涉及一类GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层…… 查看详细 >
技术简介： 本成果包含如下内容：高转换效率的小面积碲化镉太阳电池制造技术，面积为1200mm×600mm的碲化镉太阳电池组件规模化生产技术，年产30-50MW碲化镉太阳电池生产线及关键设备的设计。主要技术指标：…… 查看详细 >
技术简介： 目前该项目目前已有样机，已能精确测量10-7-10-12A电流，具有完全自主知识产权。该检测仪能实现自动换档测量电流，电流测量范围10-7-10-14A，面板操作采用触摸屏控制，提供RS485接口，可以将测…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种有机材料阻变存储元件及其制备方法。该存储元件的结构包括由下至上依次排布的下电极层、阻变介质层和上电极层；下电极层为ITO层，阻变介质层为CH3NH3PbI3−xCl3层，上电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于聚光光伏系统领域，具体涉及到一种基于太阳能电池并联连接的聚光光伏模组。包括菲涅尔透镜和多个三结聚光太阳能电池，多个三结聚光太阳能电池并联连接，每个三结聚光太阳能…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO2隧穿层、Zr0.5Hf0.5O2膜层和电极膜层；所述电极膜层为Au或Pt电极膜层；所述Zr0.5Hf…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于一种核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体，所述核壳结构硒化镉/硫化铅纳米四角体是以纳米四角体硒化镉为核，硫化铅包覆生长于纳米四角体硒化镉表面;硒化镉与硫化铅的质量比为1﹕3~…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种集电体组装装置，其包括冲压机构、集电子定位机构以及密封圈定位机构；所述集电子定位机构包括支撑座以及导向板，所述导向板的内侧壁为与底盖外缘弧度相适配的弧形面…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种提高大电流放电容量的锂锰扣式电池正极片制备方法，包括以下步骤：（1）将电解二氧化锰在390‑420℃范围内烧结处理12‑16个小时，得到烧结电解二氧化锰；（2）将烧结电解二…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开一种补偿粒子速度影像仪球面像差的方法，所述方法为在粒子速度影像仪提取极电极板添加跳变电压，以在聚焦电场的基础上添加发散电场，从而补偿原有静电聚焦透镜球面像差。本发明…… 查看详细 >
基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑
技术简介： 摘要：本发明提供基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联MMC自均压拓扑。半桥/全桥混联MMC自均压拓扑中，半桥/全桥混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的辅助开关发生电气联系，辅…… 查看详细 >
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