[00295581]一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510381366.2
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
河北大学
进入空间
所在地：河北保定市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和所述Ba0.6Sr0.4TiO3膜层之间还具有通过退火工艺形成的互扩散层。本发明中的互扩散层可以俘获电子或空穴，在同一电压下通过电容的高低状态来进行存储；设置Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层具有不同的厚度，可使器件实现不同的存储性能。本发明所提供的双电荷注入俘获存储器，可应用于信息存储和其他种类的集成电路中。
摘要：本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层和电极膜层；在所述Zr0.5Hf0.5O2膜层和所述Ba0.6Sr0.4TiO3膜层之间还具有通过退火工艺形成的互扩散层。本发明中的互扩散层可以俘获电子或空穴，在同一电压下通过电容的高低状态来进行存储；设置Zr0.5Hf0.5O2膜层、Ba0.6Sr0.4TiO3膜层具有不同的厚度，可使器件实现不同的存储性能。本发明所提供的双电荷注入俘获存储器，可应用于信息存储和其他种类的集成电路中。
