[00294188]一种VDMOS晶体管及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201210545681.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华南理工大学
进入空间
所在地：广东广州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种VDMOS晶体管及制备方法，属于半导体领域，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、位于外延层内的第二导电类型注入区和第一导电类型的高掺杂源区、栅极结构，所述栅极结构包括：位于外延层漂移区上方的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层上方的半绝缘多晶硅层，位于沟道区上方的氮氧化硅层，覆盖半绝缘多晶硅层和氮氧化硅层的多晶硅层；在制备方法中引入热氮化氮氧化硅层，代替传统二氧化硅层作为沟道上栅介质层，在外延层漂移区上方的氧化层之上，增加一层半绝缘多晶硅层，本发明能够明显降低栅-漏电容和达到克服因长期工作温升引起的栅绝缘层绝缘性能变差、栅极漏电流变大、VDMOS性能蜕化的可靠性问题的效果。
摘要：本发明公开了一种VDMOS晶体管及制备方法，属于半导体领域，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、位于外延层内的第二导电类型注入区和第一导电类型的高掺杂源区、栅极结构，所述栅极结构包括：位于外延层漂移区上方的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层上方的半绝缘多晶硅层，位于沟道区上方的氮氧化硅层，覆盖半绝缘多晶硅层和氮氧化硅层的多晶硅层；在制备方法中引入热氮化氮氧化硅层，代替传统二氧化硅层作为沟道上栅介质层，在外延层漂移区上方的氧化层之上，增加一层半绝缘多晶硅层，本发明能够明显降低栅-漏电容和达到克服因长期工作温升引起的栅绝缘层绝缘性能变差、栅极漏电流变大、VDMOS性能蜕化的可靠性问题的效果。
