[00294185]具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610020616.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华南理工大学
进入空间
所在地：广东广州市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素；三元氧化物ABO中A元素为Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素为Zn或In。有源层通过脉冲激光沉积方式制备而成，且不需要退火。本发明能够以低温工艺制备出高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管。
摘要：本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素；三元氧化物ABO中A元素为Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素为Zn或In。有源层通过脉冲激光沉积方式制备而成，且不需要退火。本发明能够以低温工艺制备出高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管。
