一种水/醇溶性嵌段共轭聚合物作为阴极缓冲层的有机光伏电池制作方法
技术简介： 摘要：本发明提供一种水/醇溶性嵌段共轭聚合物作为阴极缓冲层的有机光伏电池制作方法；将带有亲水基团的水/醇溶性嵌段共轭聚合物与氧化锌双层阴极应用于有机聚合物太阳能电池器件的阴极缓冲层，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明是新型低成本铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备新工艺。使用不同组成的CIGS靶材进行连续溅射制备出CIGS太阳电池吸收层，通过溅射(In,Ga)Se或(In,Ga)2Se3靶材和多元共蒸发In、Se金属，调…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于导线两端瞬时电气量的雷电流波形恢复方法，属电力系统继电保护技术领域。当输电线路发生雷击故障时，注入导线的雷电流由故障点传播至输电线路两端的保护安装处的高速行波记录…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种LED硅太阳电池光诱导氢钝化与缺陷修复装置，包括用于放置硅太阳电池的温度保持恒定的检测台，还包括一个LED光源系统，包括用于发出光线的LED阵列；一个光学汇聚系统，设…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于纳米线技术的新型片上集成光耦，可以实现光耦在片上系统的集成。本发明主要结构分为发光部分、光波导部分和光敏部分，其特点是发光部分和光敏部分采用纳米线结构的LED…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型公开了一种利用氟离子注入实现的氮化镓PN结。该氮化镓PN结包括衬底，位于衬底上的n型氮化镓半导体层和嵌于n型氮化镓半导体层中部区域的p型氮化镓半导体层。其中，n型掺杂氮化镓…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种具有源端内嵌叉指NMOS的LDMOS-SCR器件，可用于提高片上IC的ESD保护可靠性。主要由P衬底、P外延、P阱、N阱、第一N+注入区、第二N+注入区、第一P+注入区、第三N+注入区、第四N+注入区、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种具有类鳍式LDMOS结构的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由P衬底、P阱、N阱、第一场氧隔离区、第一P+注入区、第一N+注入区、第一鳍式多晶硅栅、第二N+注入区、第二…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型提供交流侧级联H桥的混合模块组合多电平变换器，其每相电路由上桥臂、下桥臂、交流侧桥臂、第一电容和第二电容组成；所述上桥臂和下桥臂的电路结构完全一致。上桥臂与下桥臂均…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型提供一种采用抽头电感和开关电感的准Z源变换器，包括直流输入电源、匝比为1:n的变压器（T）、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）、第三二极管（D3）、第一电容（C1）、第二电…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种VDMOS晶体管及制备方法，属于半导体领域，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、位于外延层内的第二导电类型注入区和第一导电类型的高掺杂源区、栅极结构，所述栅…… 查看详细 >
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