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[00272262]一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：CN201510096762.0

交易方式： 技术转让技术转让技术入股

联系人：南京邮电大学

进入空间

所在地：江苏南京市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂窝状排列。该阵列单元结构能够有效地提高SPAD器件的填充系数，增加芯片的利用率，为高密度全集成的SPAD阵列提供了可能。

[00272262]一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元

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