[00272236]一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610614357.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜，位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为，首先将透明导电玻璃刻蚀，形成0.8cm宽的透明导电窄条，然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜，最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4，便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间，且结构简单，制作成本低，原料丰富易得，制造方法简单，采用磁控溅射和蒸镀技术，可以规模化生产。
本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜，位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为，首先将透明导电玻璃刻蚀，形成0.8cm宽的透明导电窄条，然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜，最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4，便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间，且结构简单，制作成本低，原料丰富易得，制造方法简单，采用磁控溅射和蒸镀技术，可以规模化生产。
