[00272248]一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310141991.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京邮电大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算单一材料栅和双材料异质栅策略对石墨烯场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用双材料栅的输出特性、转移特性、开关电流比等电学特性对比，发现这种双材料异质栅underlap线性掺杂策略结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明双材料异质栅underlap线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应，带带隧穿和热载流子效应。
本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算单一材料栅和双材料异质栅策略对石墨烯场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用双材料栅的输出特性、转移特性、开关电流比等电学特性对比，发现这种双材料异质栅underlap线性掺杂策略结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明双材料异质栅underlap线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应，带带隧穿和热载流子效应。
