技术简介： 本发明公开了一种悬空p‑n结量子阱器件和光波导单片集成系统及其制备方法，该集成系统包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的多个p‑n结量子阱器件，所述p…… 查看详细 >
CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备及新溶剂在其中的应用
技术简介： 本发明属于半导体材料技术领域，提供CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备方法。所述方法经过步骤一制备前驱体溶液；将铜的无机盐和硫脲以一定的比例溶解在酰胺及其衍生物中的一种溶剂中，生成…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种阳极抬高的LIGBT器件，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种基于绝缘体上硅（SOI）使用到阳极弱反型层的新型横向绝缘栅双极晶体管（AWIL‑LIGBT）及其制备方法，采用阳极弱反型结构用来消除负阻效应。相对于常规SA‑LIGBT，本发明阳极多…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法，该光子器件包括硅衬底层，在其上形成外延缓冲层，在外延缓冲层上形成P‑N结，p‑GaN层上设置有p‑电极，在n‑GaN层上表面通过刻…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高集成度的单光子雪崩二极管探测器阵列单元，该阵列单元是共用深n阱结构，即：将4个SPAD器件制作在同一个深n阱里，共用阴极n+接触孔，每个SPAD器件采用正八边形结构，并进行蜂…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种芯片叠层结构参数的测试方法。它利用电容—电压测试仪测得芯片叠层结构的高频电容—电压曲线和低频电容—电压曲线，根据低频饱和值和高频饱和值分别测量该结构的绝缘层厚度与半…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种生物模板排列纳米线的方法，首先在洗净的基底片表面修饰一层聚乙二醇-异丁烯酸(PEGMA)膜；其次在PEGMA膜上覆盖具有微图案的透紫外掩膜板，用紫外光照射获得化学微图案膜；然后在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种复合型场发射阴极发射源及其制备方法，将材料低功函数的特性优势和微纳尖端结构大的场增强因子优势相结合，提出了在金属微纳尖锥结构和碳纳米管或碳纳米纤维结构表面，包覆沉积…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及P-N结柔性太阳电池的制备方法，包括步骤：a．将CuCl2.2H2O,InCl3.4H2O,CH4N2S硫脲，放入酒精中，转移至高压釜中，反应温度为120-180℃，反应时间为6-12h，将产物CuInS2洗涤烘干；其中…… 查看详细 >
一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用
技术简介： 一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成；压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT)；Ni‑…… 查看详细 >
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