技术详细介绍
本发明公开了一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构及其封装方法，封装结构包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于：所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上的LED芯片连接，导电通道与设置在硅载体下端的散热基板连接；导热通道作为LED芯片的散热通道与散热基板连接；所述的散热通道与导电通道互不干涉。
封装方法包括硅载体的制作方法。本发明降低了封装成本，可实现大批量生产、减少封装体积、节省材料，使电子产品更加小型化；提高电气性能和热可靠性能；提高发光效率，通过通孔及凹槽的工艺制作，可减少光的散射，提高光通量，通过预留出荧光粉涂覆层的位置实现荧光粉配量可控性和操作的方便，提高生产效率。