技术详细介绍
本发明公开了一种具有介质层固定电荷的SOI功率器件，包括衬底层、有源层以及处于衬底层和有源层之间的绝缘介质埋层。
在绝缘介质埋层与有源层接触的表面的靠边区域设置了一个高浓度固定电荷区，高浓度固定电荷区面积占绝缘介质埋层与有源层接触的表面面积的50％-75％，高浓度固定电荷区电荷的浓度为1×1017～1×1018/cm2。
本发明生产工艺简单，固定电荷掺杂浓度工艺容差比较大，受高温工艺影响小，与常规CMOS/SOI工艺完全兼容。
应用本发明的功率器件，其耐压由于介质埋层电场的增强而大幅提高。