技术简介： 一种可体内降解高分子材料微器件真空热融封装方法,首先采用准LIGA技术的厚胶紫外光刻微制造工艺制作带有凸台的微阵列结构的PDMS微器件模具,再用PDMS微器件模具建立带有凹槽的微阵列结构的可体内…… 查看详细 >
技术简介： 在硅片基底上制作光电探测器——位置传感器、四象限光电探测器及硅光电池等,并且在某些产品中集成为photoIC（即光子集成电路芯片）,为应用技术打下终极解决方案。上述光电探测器可广泛应用于各…… 查看详细 >
技术简介： 1、课题来源与背景氙灯是目前显色性最好的一种光源,被广泛应用于脉冲固体激光器、精密光学仪器等领域,而钨阳极是氙灯的关键部件之一。国内外研究表明,增加钨阳极表面散热面积能有效改善散热性能…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种电子封装用SiC/Al复合材料的制备方法,包括以下步骤：1.将聚乙烯醇溶液和饱和SiO?,溶胶混合制成粘结剂;2.将粘结剂添加到β-SiC颗粒中混合、造粒、模压制成坯体;3.将坯体干燥,排…… 查看详细 >
技术简介： 该装置额定数据：装置工作电压，AC/DC220V，-20%～+15%；交流电流5A；交流电压100V；频率50Hz。测量范围及误差：电流0.1A～10A；电压0.1V～120V；误差不超过0.5%。保护定值范围及误差：电流为0.…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种带隙改性GeCMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;在Si衬底上生长Ge薄膜层、Ge层;在Ge层上生长GeSn层;在GeSn层和Ge层内制作STI;在GeSn层表面淀积栅介质层和栅极…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低热导的太赫兹探测单元微桥结构,该微桥结构包括桥墩、桥腿、桥面。桥墩连接底层读出电路与桥腿,桥腿呈悬空结构并连接桥墩与探测桥面,桥面由两只桥腿支撑形成悬空结构。桥面实…… 查看详细 >
技术简介： 一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。包括工艺步骤如下：制备衬底;制备DNW;制备场氧;制备N阱、P阱;制备栅及场板;制备NSD;制备PSD;退火;NSD／PSD推结;制…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种压电振子结构，它包括工具头部分、至少一组半波压电换能器和与半波压电换能器组数相同的连接件；配重块位于连接件的中心位置，每组半波压电换能器中的每一半波压电换能器的…… 查看详细 >
基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法
技术简介： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的N型双向HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底;形成FTO薄膜;制备CH3NH3PbI3材料以形成第一光吸收层;在第一光吸收层表面形成第一电子传输层;在第一电子…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽栅型源-漏复合场板异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、源场板（9）…… 查看详细 >
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