[01326181]一种高压BCD半导体器件的制造方法
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技术详细介绍
一种高压BCD半导体器件的制造方法，属于半导体功率器件技术领域中的制造技术。
包括工艺步骤如下：制备衬底;制备DNW;制备场氧;制备N阱、P阱;制备栅及场板;制备NSD;制备PSD;退火;NSD／PSD推结;制备欧姆孔;形成金属层;制备钝化层;制备PAD。
通过本发明可以在同一芯片上制件高压JFET、高压nLDMOS、中压nLDMOS、低压LDMOS、低压CMOS、NPN晶体三极管、N阱和P阱电阻、N型电容等器件。
设计者可以根据需要灵活选择。
本发明还具有版次少，高温过程少，成本低，高压与低压器件兼容性好，普适性和不同IC生产线可移植性好等优点。