基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法,其实现步骤为：对绝缘层上硅锗SGOI晶圆进行清洗,并进行He离子注入;在离子注入后的SGOI晶圆顶层SiGe…… 查看详细 >
技术简介： 本发明为一种适用于微量液体混合化学发光反应的器件,包括上下配合的上盖板和下底板;上盖板外侧两端部设有凹室,上盖板内侧面中部设有微量液体流经的微流道结构,微流道结构分为进样、混合和废液流…… 查看详细 >
技术简介： 随着能源危机和环境污染问题的日益严重，作为绿色能源的风能受到世界各国的高度重视。据全球风能理事会统计，全世界风电装机容量的年均增长超过30%,中国的装机容量占据了世界总量的34.7%。然而…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种红外-太赫兹双波段阵列探测器微桥结构及其制备方法,用于红外与太赫兹波段的探测与成像。所述微桥结构的顶层为双层氧化钒薄膜,下层氧化钒薄膜为具有高电阻温度系数（TCR）的无相…… 查看详细 >
技术简介： 该产品是在１５０～４５０Ｖ电压范围内，当供电异常，特别是当３８０Ｖ串入２２０Ｖ及瞬时停电时，对家用电器进行保护的一种切断式延时保护器。其特点是：保护电压范围宽，输出功率大，过载能力…… 查看详细 >
技术简介： 1.任务来源：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金,项目名称：低电阻温度系数TaN薄膜材料及微波功率薄膜电阻器研究,项目编号：KFJJ200804。2.技术原理及性能指标（1）技术原理：采用反应磁控溅…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种具有SiO2保护作用的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：（a）选取SOI衬底;（b）刻蚀SOI衬底形成有源区沟槽;（c）对所述有源区沟槽利用原位掺杂工艺分别淀积P型S…… 查看详细 >
技术简介： 该装置用于车辆探测与前车之间的距离和前方车辆的数量、发送和接收超车信号、在高速公路上构成车对车、一车对多车、多车对一车的防撞报警系统，为司机采取加速、减速、避让、超车等提供可靠的依…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于场效应晶体管技术领域,特别是公开了一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管;旨在提供能够提高输出电流和器件跨导,改善频率特性的一种具有部分高掺杂沟道4H-SiC金半场效应管;采用的…… 查看详细 >
纳秒脉冲耦合注入的电力变压器绕组变形故障带电检测与诊断技术及工程应用
技术简介： 该项目属于电气工程学科。电力变压器作为电能传输过程中能量转换的核心，是电力系统中至关重要的输变电设备，绕组变形是引起变压器内部故障的主要原因之一。中国变压器制造厂家和电力公司进行绕…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、绝缘介质层（7）、钝化层（8）、交叠栅（10）和保护层（12…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种全自对准的槽栅绝缘栅双极晶体管制备方法,全套工艺除了P＜SUP＞+＜/SUP＞版和槽栅版两张光刻版以外,其余所有光刻都被省去,即只用两次光刻完成IGBT的器件制造,而且两次光刻之间…… 查看详细 >
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