技术简介： 摘要：本发明公开了一种通过阳离子交换的方式在光阳极上原位沉积Ag2S量子点的方法，具体实施步骤如下：1）配备一定浓度含有Ag+的可溶性盐溶液；2）将长有金属硫化物量子点的光阳极浸入含有Ag+的…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型公开了一种智能温室大棚无土栽培肥水灌溉系统无土栽培肥水灌溉系统包括营养液回收泵、第一过滤器、杀菌消毒器、营养液回收桶、第二过滤器、进水泵、混肥桶、混肥泵、混肥阀、灌溉阀、…… 查看详细 >
BiFeO3/CH3NH3PbI3异质结构铁电光伏薄膜及其制备方法
技术简介： 摘要：本发明公开了一种BiFeO3/CH3NH3PbI3异质结构铁电光伏薄膜及其制备方法。BiFeO3/CH3NH3PbI3复合薄膜中BiFeO3为R3c群菱方钙钛矿结构，CH3NH3PbI3为I4cm群的四方钙钛矿结构，且BiFeO3与CH3NH…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种绝缘栅半导体器件(30)，包括栅极(34)、源极端子(36)、漏极端子(38)和栅极处的可变输入电容。该器件导通时的输入电容(Cfiss)和该器件截止时的输入电容(Ciiss)之间的比值小于2，并且优…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种磷光染料掺杂的有机太阳能电池，其结构依次包括阳极、空穴传输层、给体层、受体层和阴极，其特征在于：受体层为C70材料，给体层为磷光染料掺杂的高分子聚合物材料。本发…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种基于VOx选通管的相变存储单元，包括下电极层、VOx选通层、相变功能层和上电极层。本发明采用了VOx来实现相变功能层的选通，可以在相变功能层选通的基础上实现数据的存储…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种三维量子阱结构光电裸芯片，属于一种量子阱结构光电裸芯片，解决现有三维量子阱结构光电裸芯片工作面积有限、工艺复杂、成本高的问题。本实用新型自下而上包括：衬底层、缓冲层、n型…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种二硫化钼/硅异质结太阳能电池及其制备方法，化学气相沉积（CVD）方法可制得大面积、均匀、高结晶的二硫化钼膜，该材料具有较高的载流子迁移率且带隙可调控，制备的二硫化…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供一种用于空调罩后处理的靠模工装，空调罩的安装孔所在的端面开设有一第一凹槽，所述靠模工装包括靠模本体，所述靠模本体的一侧设有第一定位面，底端设有第二定位面；所述第一定位…… 查看详细 >
技术简介： 目前该项目目前已有样机，已能精确测量10-7-10-12A电流，具有完全自主知识产权。该检测仪能实现自动换档测量电流，电流测量范围10-7-10-14A，面板操作采用触摸屏控制，提供RS485接口，可以将测…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种提高铁电薄膜抗击穿能力的方法，该方法是以金属铝片作为铁电薄膜的电极，或者以表面覆有一层铝膜的其他材质作为铁电薄膜的电极，对铁电薄膜的电极进行预处理后再在预处理…… 查看详细 >
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