技术详细介绍
本发明公开了一种自阻挡层结构的有机场效应晶体管存储器，从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、栅绝缘层和衬底，所述有机光敏半导体层和栅绝缘层之间设有混合聚合物自阻挡薄膜层；本发明通过简单的工艺手段改进器件的存储性能，使其存储容量、开关速度和耐受性得到很大提升；并且降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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