技术简介： 本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂，在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体，可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的M…… 查看详细 >
技术简介： 大尺寸非极性面GaN自支撑衬底制备方法，在HVPE生长系统中将铝酸锂衬底放入反应器中后，先生长缓冲层。温度为500－800℃，然后升温至生长温度开始生长GaN，生长温度1000－1100℃。生长至合适的厚…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高锗含量锗硅薄膜的低温外延制备方法，具体步骤包括(1)提供(100)晶面的硅衬底；(2)在1350℃的高温下对硅衬底进行去氧化处理，去氧化时间为10分钟；(3)通过分子束外延的方法，在…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开一种利用Al2O3薄膜钝化硅基纳米线的方法，在硅纳米线结构表面形成一层Al2O3薄膜以包覆硅基纳米线，Al2O3薄膜层用于钝化纳米线表面缺陷，其厚度控制在硅基中的载流子能够穿透的范围内…… 查看详细 >
技术简介： 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄…… 查看详细 >
技术简介： 利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃-500℃，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备新型微纳米复合结构图案化蓝宝石衬底的方法，具体步骤包括：a)通过光刻和刻蚀工艺制备出具有高曲率和高深宽比的圆锥形微米图案化蓝宝石衬底；b)在微米图案化蓝宝石衬底上蒸…… 查看详细 >
技术简介： LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种用于矿物相自动识别分析的样品台，样品台底座形状与扫描电镜样品室内样品槽的形状匹配，样品台中间开有样品托，样品托中安装有可拆卸的卡槽，卡槽中安装有两组移动挡板；样…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种插拔喷头的透射电镜原位气氛样品台。该样品台包括样品台(杆)、与外部气体源相连的原位气氛管路，原位气氛管路端头的气氛喷头、及样品载网，所述气氛喷头为可插拔形式，在气氛…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多栅极神经元晶体管，该晶体管包括源漏电极、沟道、栅介质、浮栅电极和多个输入栅极，以及输入栅极与栅介质之间的电容记忆层。其中，各输入栅极通过电容记忆层与栅介质电容共同…… 查看详细 >
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