X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
关于我们
欢迎来到科易网(仲恺)技术转移协同创新平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
成果 专家 院校 需求
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00274804]一种新型贴片式忆容器及其制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610222065.X

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 南京大学

进入空间

所在地:江苏南京市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明公开了一种新型贴片式忆容器,包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜,其中,所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种,所述第一氧化物包括TiO2、HfO2、TaO2、SrTi1-xNbxO3中的一种,03型钙钛矿氧化物,其中,A为Dy、Gd、Tm、Lu、Tb中的一种或多种金属离子,B为Fe或Mn,第二金属为Au或Pt;在所述第一金属薄膜和第二金属薄膜上引出电极。本发明还公开了一种制备上述新型贴片式忆容器的方法。本发明结构简单、制备方便、体积小,适合三维堆垛结构中,具有高集成度的特点。
本发明公开了一种新型贴片式忆容器,包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜,其中,所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种,所述第一氧化物包括TiO2、HfO2、TaO2、SrTi1-xNbxO3中的一种,03型钙钛矿氧化物,其中,A为Dy、Gd、Tm、Lu、Tb中的一种或多种金属离子,B为Fe或Mn,第二金属为Au或Pt;在所述第一金属薄膜和第二金属薄膜上引出电极。本发明还公开了一种制备上述新型贴片式忆容器的方法。本发明结构简单、制备方便、体积小,适合三维堆垛结构中,具有高集成度的特点。

推荐服务:

Copyright © 2015 科易网 版权所有 闽ICP备07063032号-5