技术简介： 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄…… 查看详细 >
技术简介： 利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃-500℃，…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种制备新型微纳米复合结构图案化蓝宝石衬底的方法，具体步骤包括：a)通过光刻和刻蚀工艺制备出具有高曲率和高深宽比的圆锥形微米图案化蓝宝石衬底；b)在微米图案化蓝宝石衬底上蒸…… 查看详细 >
技术简介： LiNbO3/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法，采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底；然后在此缓冲层采用高纯5N的铁…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供了一种用于矿物相自动识别分析的样品台，样品台底座形状与扫描电镜样品室内样品槽的形状匹配，样品台中间开有样品托，样品托中安装有可拆卸的卡槽，卡槽中安装有两组移动挡板；样…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型涉及一种插拔喷头的透射电镜原位气氛样品台。该样品台包括样品台(杆)、与外部气体源相连的原位气氛管路，原位气氛管路端头的气氛喷头、及样品载网，所述气氛喷头为可插拔形式，在气氛…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种表面等离激元增强的超导单光子探测器及其制备方法。该超导单光子探测器在基于氮化铌的超导单光子探测器的纳米线区表面布置有金纳米颗粒。其制备方法包括将含有十二烷基硫醇-金…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了基于氧掺杂碲化锌纳米线阵列的太阳电池，自上而下依次为：包裹了氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同轴包覆的纳米线阵列顶端的n型AZO透明导电薄膜、氧化锌/氧掺杂碲化锌/碲化锌三层同…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种新型贴片式忆容器，包括自下至上依次设置的硅衬底、第一金属薄膜、第一氧化物薄膜、第二氧化物薄膜和第二金属薄膜，其中，所述第一金属包括Au、Cu、Pt、Ag、Co中的一种，所述第…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种多栅极神经元晶体管，该晶体管包括源漏电极、沟道、栅介质、浮栅电极和多个输入栅极，以及输入栅极与栅介质之间的电容记忆层。其中，各输入栅极通过电容记忆层与栅介质电容共同…… 查看详细 >
技术简介： 基于非自对准CMOS工艺的MOSFET结构的太赫兹探测器，p型衬底209上两个n型掺杂区分别为源极区和漏极区，源极区和漏极区的中央上面为SiO2层，重掺杂多晶硅区为栅极，SiO2层置于栅极与衬底之间，MOS…… 查看详细 >
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