[00274843]利用硼磷共掺提高纳米硅材料中的磷掺杂浓度的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610835042.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南京大学
进入空间
所在地：江苏南京市
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对所交付的所有资料进行保密
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技术详细介绍
利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a‑Si/SiO2)多层膜材料；控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a‑Si/SiO2多层膜的厚度；3)对制备的a‑Si/SiO2多层膜进行脱氢处理；4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理，使多晶硅结晶形成纳米硅，并激活杂质原子进入纳米硅内部，实现纳米硅的掺杂；制备成共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。
利用硼磷共掺技术提高纳米硅基薄膜中磷的掺杂浓度效率的方法，步骤如下1)利用PECVD制备掺杂纳米硅/二氧化硅多层膜材料；2)通过交替进行非晶硅层沉积/原位氧化两个过程，能够获得掺杂纳米硅/二氧化硅(a‑Si/SiO2)多层膜材料；控制非晶硅层沉积/原位氧化的时获得a‑Si/SiO2多层膜的厚度；3)对制备的a‑Si/SiO2多层膜进行脱氢处理；4)脱氢后对进行氮气氛围下的高温退火处理，使多晶硅结晶形成纳米硅，并激活杂质原子进入纳米硅内部，实现纳米硅的掺杂；制备成共掺杂的纳米硅/二氧化硅多层膜。
