技术简介： 本发明涉及一种有机电致发光器件OLED照明模块,包括ITO玻璃（6）、封装玻璃（7）及封装在ITO玻璃（6）与封装玻璃（7）之间的显示区域（8）构成的OLED发光器件,其特征在于：所述包括ITO玻璃（6）…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于c面Al2O3衬底的N面Ⅲ族氮化物的发光二极管,主要解决现有LED器件生长步骤繁多,工艺周期长的问题。其自下而上包括：c面Al2O3衬底层、10-40nm厚的高温AlN成核层、700-2000nm厚…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种带隙改性GeCMOS集成器件及其制备方法。该制备方法包括：选取Si衬底;在Si衬底上生长Ge薄膜层、Ge层;在Ge层上生长GeSn层;在GeSn层和Ge层内制作STI;在GeSn层表面淀积栅介质层和栅极…… 查看详细 >
技术简介： 非金属电热元件采用组合结构直接砌作炉作体内衬，直接用于熔炼金属，可用于有色金属铸造、冶炼和热镀锌等领域中，熔铸过程中不增加熔体的杂质，没有渗漏危险。本技术已获国家专利，正在着手进行…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层掺混结构碳纳米管薄膜场发射阴极及其制备方法。采用Ti纳米粉体掺混制备CNT复合浆料，通过丝网技术印刷出单层Ti掺混结构的CNT阴极薄膜。通过两步烧结工艺，形成上层为TiO2掺…… 查看详细 >
技术简介： 喷涂沉积大面积均匀透明导电薄膜的喷嘴属于半导体电子材料镀膜领域。为具有一定规律分布的小圆孔的一维结构喷嘴，或为具有一定规律排列的阵列两维结构的两维喷嘴，或者是一维单狭缝喷嘴和多组长…… 查看详细 >
技术简介： 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构,属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的NMOS器件及其制备方法,该方法包括：选取Si衬底;在Si衬底表面生长栅介质层;在栅介质层表面生长电子传输层;在电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层;…… 查看详细 >
技术简介： 随着微机电系统广泛应用于各类行业,微机电系统接触性能的可靠性越来越受到人们重视,在可分离的弹性接触器的导电性能、弹性、使用寿命上产生了很多问题。纳米弹簧、弹簧针、微弹簧片等其他微纳弹…… 查看详细 >
技术简介： 该发明属于与回旋管（振荡器、放大器）配套用同轴双电子束电子枪,电子枪筒体、底座,带电热丝和两个电子束发射环的阴极套,内、外阳极,控制阳极。该发明由于将内阳极、外阳极与阴极套之间采用同轴…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种横向SOI功率器件,包括半导体衬底,绝缘介质层和半导体有源层,在半导体有源层表面具有体区和漏区,体区和漏区之间有间距,形成器件的漂移区,在体区表面依次形成体接触区和源区,在绝…… 查看详细 >
技术简介： 本成果是一种对一种高波长选择性的紫外-红外（UV-IR）互补型探测器件的布图保护,根据集成电路布图设计保护条例实施细则第二十条规定,本布图设计专有权自申请日器生效。根据集成电路布图设计保护…… 查看详细 >
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