[01794928]一种横向SOI功率器件
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技术详细介绍
本发明公开了一种横向SOI功率器件,包括半导体衬底,绝缘介质层和半导体有源层,在半导体有源层表面具有体区和漏区,体区和漏区之间有间距,形成器件的漂移区,在体区表面依次形成体接触区和源区,在绝缘介质层上设置有硅窗口,体区的底部在硅窗口中或通过硅窗口进入半导体衬底,体接触区的底部进入硅窗口;源区和体接触区的共同引出端为源电极。本发明有效的将体区引出,消除了Kink效应、寄生三极管效应、记忆效应等浮体效应,提高关态耐压,提高栅控制能力,同时提高开态时的击穿电压,改善了SOI器件的特性,也消除了T型栅结构和BTS结构出现局部附体效应的可能性。