技术简介： 本项目属于无机非金属信息与功能材料领域。以钙钛矿结构氧化物为代表的介电、铁电材料，因其具有极好的介电、铁电和热释电等性能，在存储器等微电子器件领域具有非常广阔的应用前景，受到研究人…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种低热导的太赫兹探测单元微桥结构,该微桥结构包括桥墩、桥腿、桥面。桥墩连接底层读出电路与桥腿,桥腿呈悬空结构并连接桥墩与探测桥面,桥面由两只桥腿支撑形成悬空结构。桥面实…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺,包括以下步骤：在带有氮化硅或氧化硅衬底的硅片上溅射沉积NiCr薄膜;光刻,形成所需要的图形;将步骤所得的硅片放入刻蚀设备,用氯基气体与六氟化硫的混合…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2,P型埋层9和N型掺杂层10的内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2,P…… 查看详细 >
技术简介： 车灯模具侧花纹CAD/CAM技术，是车灯型芯模具设计与加工中的关键技术。在现有CAD软件上，最大限度地提高车灯模具侧花纹计算机辅助设计与加工的自动化程度，具有重要的理论和实践意义。项目在分析…… 查看详细 >
技术简介： 该项目属于有机高分子材料及材料合成与加工工艺研究领域。有机微纳单晶材料作为一类可溶液法、大面积加工的光电材料,具有优异的光电性质,是新一代低成本、高性能有机光电器件的重要研究方向。针…… 查看详细 >
技术简介： 该装置额定数据：装置工作电压，AC/DC220V，-20%～+15%；交流电流5A；交流电压100V；频率50Hz。测量范围及误差：电流0.1A～10A；电压0.1V～120V；误差不超过0.5%。保护定值范围及误差：电流为0.…… 查看详细 >
技术简介： 该项目研究属水利水电工程领域。大型水力机组的运行安全问题涉及泵站调水目标实现和水电站电网安全稳定问题，既是一个复杂的技术问题，也是一个日益突出的公共安全问题，对保障泵站和水电站的安…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤,使注入的离子与硅反应形成U型介质层,同时…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于太赫兹探测及成像领域,提供一种太赫兹辐射转换为红外辐射的器件结构,应用于太赫兹探测系统中,位于太赫兹源与红外探测器之间;该结构包括透明衬底、透明衬底上依次设置的红外发射层、金…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于碳化硅三极管的β射线探测器及其制作方法,主要解决了现有β射线探测器灵敏度低,抗辐照性能差和工作电压高的问题。该β射线探测器自上而下依次包括发射极欧姆接触（1）、掺…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于r面Al2O3衬底的a面Ⅲ族氮化物的发光二极管,主要解决现有LED生长步骤多,工艺周期长的问题。其包括：r面Al2O3衬底层、AlN成核层、发光层和电极,其中AlN成核层和发光层之间设…… 查看详细 >
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