[01515526]一种横向MOSFET器件的制造方法
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技术详细介绍
本发明属于半导体技术,具体的说是涉及一种槽型横向MOSFET器件的制造方法。本发明的方法主要为：通过刻蚀深槽、倾斜离子注入、高温退火、外延等工艺步骤,使注入的离子与硅反应形成U型介质层,同时在介质层表面仍保留有单晶硅层,接着在单晶硅层表面通过外延技术得到用于器件制造的单晶硅半导体层,提供器件有源区的单晶硅层,实现了一种槽型横向半导体器件的工艺制造。本发明的工艺有以下优点：本发明可以在介质层薄膜上得到单晶硅材料,避免了多晶硅作为有源区带来的泄漏电流大、击穿电压低以及工艺重复性差等不足。