技术简介： 本发明公开了一种基于硒化铟和氮化镓的双波段探测器及制备方法,主要解决现有技术无法实现同时同位置探测的问题。其包括:衬底（1）、紫外吸收层（21）、绝缘层（3）、红外吸收层（22）、两个欧姆…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种垂直型半导体器件结构及制作方法。主要解决宽禁带半导体材料、器件高缺陷密度及大功率器件散热的问题。采用立体形三维纳米结构，包括衬底、垂直单晶、外延层、金属层、介质层，…… 查看详细 >
技术简介： 一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。本发明利用结型场板…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及薄膜与涂层制备技术领域,具体为一种紧凑高效的准扩散弧冷阴极弧源。准扩散弧冷阴极弧源由弧源头与控制磁场组组成,弧源头包括靶材、靶材底座、靶材底座屏蔽罩、靶材底盘、引弧装置和永…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种SiC衬底上的多量子阱紫外LED器件及其制作方法,它涉及微电子技术领域,主要解决了紫外LED出光效率低的问题。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层、高温AlN成核层、本征AlGaN外延…… 查看详细 >
技术简介： 本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。本发明的结构,曲率结终端结构中N型漂移区2内壁和P型埋层9内壁分别向中间延伸至与直接结终端结构中N型漂移区2内壁和P…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种用于场发射显示器的大面积碳纳米管薄膜阴极的制备方法,包括：衬底和碳纳米管的预处理、阴极导电图形的形成、涂敷粘结剂、碳纳米管气溶胶（或其他形式的分散相）的形成与喷射、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽型半导体功率器件,涉及槽型半导体功率器件技术领域,包括衬底层和有源层,所述有源层中形成有槽栅,槽栅纵向至少伸入到有源层中;在体接触区和漏区之间形成有阶梯型的介质槽,阶梯…… 查看详细 >
技术简介： 一种双栅功率MOSFET器件,属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上,通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸,形成纵向漏极接触区（12a）,并在有源层和衬底之间…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种垂直型光电探测器的制备方法,包括：S1：选取衬底;S2：在所述衬底上生长底电极层;S3：在所述底电极层上生长二硫化钼层;S4：在所述二硫化钼层上生长杂化钙钛矿层;S5：在所述杂化钙…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、槽栅（7）、钝化层（8）、栅场板（9）、漏场板（11…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种阶梯电流阻挡层垂直型功率器件，主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题。其包括：衬底（1）、漂移层（2）、孔径层（3）、左右两个对称的多级阶梯结构电流阻挡层（4）…… 查看详细 >
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