技术简介： 摘要：本发明涉及一种应用分形理论的接地屏蔽结构。现有的片上螺旋电感、变压器由于产生交变的电磁场，会在衬底引起感应电流，产生能量损耗，降低了电感值和Q值。本发明的屏蔽结构位于线圈绕成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本实用新型属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本实用新型电磁耦合装置包括反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明涉及电子产品机械自动化加工设备技术领域，具体涉及一种封装功率三极管‑散热片自动装配机。包括机架，和安装在机架上的散热片上料模块、功率三极管上料模块、锁丝系统、退料模块、…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种节能安全的卤钨灯泡，本发明包括玻璃壳、钨丝、两条钨丝支撑杆和螺口灯座；玻璃壳的尾部密封设置在螺口灯座上，钨丝通过两条钨丝支撑杆与螺口灯座连接，所述的玻璃壳包括…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种通过与太空进行辐射换热实现聚光光伏电池冷却的系统，属于太阳能聚光光伏电池散热技术领域。技术要点包括复合抛物面聚光器，复合抛物面聚光器底部具有下开口，下开口处安装有选择性吸…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法，本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法，特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明公开了一种脉冲电流低温快速烧结制备高温服役纳米晶接头的方法，其步骤如下：一、采用液相还原法制备金属纳米颗粒；二、制备金属纳米颗粒焊膏；三、脉冲电流低温烧结纳米焊膏制备高…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层1…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明的目的在于提供一种带有散热装置的配注器控制单元，包括配注器壳体、散热装置、芯片，配注器壳体里设置凹槽，散热装置安装在凹槽里，芯片固定在散热装置上，所述的散热装置包括散热…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层结构的高效率黄绿光有机电致发光器件，包括顺序叠接的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层和反射金属阴极，通过阳极由正向负连接反射金属阴极构成外电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高效稳定有机聚合物太阳能电池的制备方法，在透明导电电极上依次制备TiO2纳米粒子晶体层、电子传输层、有机活性层、空穴传输层和顶层电极，得到倒置太阳能电池结构，所述倒置太…… 查看详细 >
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