技术简介： 本发明涉及一种铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层的低成本制备方法，采用共同蒸发法制备Cu、Zn和Sn的金属前驱体，再进行硫化得到铜锌锡硫薄膜Cu2ZnSnS4（CZTS）。该法制得CZTS薄膜具有和与太阳光谱…… 查看详细 >
技术简介： 一种新型石墨烯/半导体多结级联太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括依次键合串联的倒装PN结型多结电池、金属纳米粒子以及肖特基单结电池，其中单结电池包括导电衬底及设于导电衬底一端面的石…… 查看详细 >
技术简介： 一种包含纳米结构抗反膜的晶体硅太阳能电池，包括自下而上的金属背场与背电极、单晶硅基体、PN结有源层、抗反膜、及栅电极，其特征在于，所述抗反膜有若干层，自下而上的抗反膜的折射率逐渐减小…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是几种三结级联太阳能电池，其包括在GaAs衬底上依次生长的底电池层、第一隧道结、中间电池层、第二隧道结、顶电池层及GaAs接触层；所述GaAs衬底底部设有下欧姆电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及半导体技术领域，尤其是指一种四结级联太阳能电池，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一键合层、InGaAsP/InGaAs双结电池、第二键合层、第三键合层、GaInP/GaAs双结电池，使所述InGa…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种正装三结级联太阳电池及其制备方法，实现多结太阳电池合理的带隙组合，减小电流失配同时而又不提高电池制作成本和难度。所述电池包括GaAs衬底、在GaAs衬底上依次设置的GaInP过渡…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV；包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种三结级联太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，AlGaInP顶电池和GaAs衬底上分别设有电极。本发明还…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长yNxBiy底电池层、第一隧道结、InmGa1-mAs1-nNn中间电池层、…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及太阳能技术领域，尤其是直三结级联太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：采用有机金属化学气相沉积方法在GaAs衬底上依次生长x-yNxBiy底电池层、第一隧道结、BmGa1-mAs1-nBin中间电池…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种三结太阳电池及其制备方法，该电池包括依次连接的P型GaAs衬底、InGaAsN底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中所述P型GaAs…… 查看详细 >
技术简介： EVA封装胶膜的制备技术成果简介EVA胶膜封装是太阳能光伏电池重要的组件之一，通过封装可以保护电池片和电极、提高电池的发电效率和耐久性。本产业化项目通过改善封装材料的透光率、粘接强度及耐…… 查看详细 >
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