[00142322]GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其
交易价格：
面议
所属行业：
太阳能
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：201310114572.8
交易方式：
技术转让
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV；
包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP键合层、GaAs子电池、第二隧道结以及
GaInP子电池。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一Ge子电池；2）在Ge子
电池表面依次生长成核层、第一缓冲层、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池以及(In)GaAs键合层；3）提供一GaAs衬底；4）在GaAs
衬底上依次生长第二缓冲层、牺牲层、GaAs或GaInP键合层、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；5）剥离GaAs衬
底；6）将(In)GaAs键合层与GaAs或GaInP键合层键合。
本发明提供了一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其带隙能量分别为1.89eV、1.42eV、1.0eV以及0.67eV；
包括Ge子电池、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池、(In)GaAs键合层、GaAs或GaInP键合层、GaAs子电池、第二隧道结以及
GaInP子电池。本发明还提供一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池的制备方法，包括步骤：1）提供一Ge子电池；2）在Ge子
电池表面依次生长成核层、第一缓冲层、第一隧道结、渐变过渡层、InGaAs子电池以及(In)GaAs键合层；3）提供一GaAs衬底；4）在GaAs
衬底上依次生长第二缓冲层、牺牲层、GaAs或GaInP键合层、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池以及GaAs接触层；5）剥离GaAs衬
底；6）将(In)GaAs键合层与GaAs或GaInP键合层键合。
