技术简介： 本实用新型提供一种击穿电压精准、灵敏、性能稳定、使用寿命长的玻璃气体放电管（专利号201620055109.X），它包括由玻璃制成的密封壳体，在密封壳体内填充有惰性气体；还包括设于所述密封壳体内…… 查看详细 >
技术简介： 项目简介：本实用新型公开了一种瞬变抑制二极管保护电路（专利号201620056456.4），包括输入端、输出端、第一瞬变抑制二极管、第一二极管、稳压二极管、控制单元、场效应管、第一电感、第一电容…… 查看详细 >
技术简介： 本实用新型提供一种击穿电压精准、灵敏、性能稳定、使用寿命长的陶瓷气体放电管（专利号201620056494.X），它包括密封的陶瓷壳体、设于该陶瓷壳体空腔内的阳极放电极和阴极放电极，陶瓷壳体内的…… 查看详细 >
一种基于压电基底薄片的微纳米有序通孔阵列金属薄膜传感器的制造方法
技术简介： 摘要：本发明涉及一种基于压电基底薄片的微纳米有序通孔阵列金属薄膜传感器，其结构由上到下为微纳米有序通孔阵列金属薄膜、压电基底薄片、环状金属薄膜，所述基底为压电石英晶体或压电陶瓷。再…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种微颗粒生产设备以及生产方法，该微颗粒生产设备包括送液系统和铺球系统，该铺球系统包括导流板、铺颗粒台和X轴运动机构。该生产方法通过将待生产的微颗粒配置成悬浮液，使微颗粒悬浮…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种微压电加速度传感器芯片及其制作方法，芯片由一对敏感梁与一对补充梁共同支撑悬空质量块并使其悬空，质量块与敏感梁、补充梁及边框间有一定距离，使其保证质量块振动时不影响敏…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于可动栅极式场效应晶体管的微力传感器及其制备方法，结构包括由四根直梁支撑的中间质量块，中间质量块前端设置探针，中间质量块前后布置有平衡、工作栅极阵列，平衡、工作栅极阵列相对中…… 查看详细 >
技术简介： 一种超微锥电极阵列及其制备方法。首先对硅片进行干湿氧化形成SiO2膜，并采用正胶在上述SiO2膜光上刻出方形窗口；其次用TMAH溶液对上述SiO2膜方形窗口中裸露的硅片进行湿法刻蚀形成正四棱锥形凹…… 查看详细 >
技术简介： 一种毫微三级的跨尺度干粘附复合结构及其制备工艺，结构包括第一级底层倾斜的毫米级片状结构，在其的倾斜表面覆盖第二级微米级柱子阵列结构，第二级微米级柱子阵列的顶部设有第三级微米级蘑菇型…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于液晶弹性聚合物的干粘附功能结构及制造工艺，功能结构包含两层结构，顶层为隆起状态的蘑菇状阵列结构，底层为高弹性模量聚合物的凹槽结构，制造工艺是先进行顶层蘑菇状阵列结构的制备，…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：一种用于氮离子太赫兹特征谱线探测的滤波器谐振单元，由半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底和衬底上的金属层构成，半绝缘砷化镓(SI‑GaAs)衬底的厚度为0.63mm，金属层由依次形成在衬底上的5nm厚…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用微加工在电极表面制备三维微结构的方法，所述方法包括如下步骤：在电极的表面形成掩膜层；所述掩膜层上具有若干个贯穿所述掩膜层的空隙；通过在所述掩膜层上沉积金属层，在…… 查看详细 >
Copyright © 2015 科易网 版权所有 闽ICP备07063032号-5